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1.MOSFET靜電擊穿損壞原因及預防：

MOSFET的柵極與源極間的電壓，即柵源電壓，一般為20-30V，如果所加柵源電壓超出這個范圍，就有可能造成永久損壞。原因是MOSFET的輸入阻抗較高，電荷不能及時的釋放，積聚在柵極，就會造成柵源之間電壓超出20-30V的上限，這時候MOSFET就可能損壞，例如人體的靜電往往會造成MOSFET的擊穿損壞。

為了防止MOSFET被靜電破壞,一般在整機制造過程中人體要通過靜電手鐲良好接地,電烙鐵接地等等都是必要的，在電路應用上在GS極之間加適當的穩壓管,或電阻來防止干擾脈沖或是靜電破壞。

2. MOSFET雪崩擊穿損壞原因及預防：

雪崩損壞是指MOSFET在關斷過程中，電感器件所產生的電壓尖峰超出MOSFET的漏極額定耐壓并超出一定的能量后，進入擊穿區域而導致的破壞模式。

在電路應用中預防雪崩擊穿一般采取如下原則：

（1）大電流路徑盡量使用粗短布線，降低寄生電感。

（2）選擇適當的柵極電阻RG，抑制DV/DT。因為在開關斷開時產生的尖峰電壓，通過增大斷開時的常數RG，可以抑制尖峰電壓。但如果常數RG過大，往往會導致開關損耗的增大，因此選擇合適的柵極電阻RG很重要。

（3）添加吸收回路連接在MOSFET的漏極、源極之間

3. MOSFET過電流損壞原因及預防：

過電流是MOSFET在實際應用過程中，通過MOSFET的漏極電流超出額定電流的現象。

MOSFET的工作過程是受前級電路控制的，在整機生產過程中的一些工步異常，往往會導致前級電路工作異常，此時若前級電路輸出給MOSFET的柵極信號持續高電平，就會導致MOSFET的持續導通，此時流過MOSFET漏極的電流會超出MOSFET額定漏極電流的很多倍，就會導致過電流失效。

預防過電流一般采取如下措施

（1）設計使用過程中，實際電流要留有裕量。

（2）保證整機生產過程中的工藝穩定。

（3）保證其它器件的工作正常。

4. MOSFET線性區失效損壞原因及預防：

當MOSFET應用在開關電路時，如果MOSFET在開關過程中，功率MOSFET不能完全導通，電流上升及下降時間過長，功率MOSFET就工作在放大狀態，即線性區。功率MOSFET工作在線性區時，產生局部熱點，溫度過高，繼而損壞。一般損壞的熱點的面積較大，是因為此區域有一定時間的熱量積累，破位的位置往往也是散熱條件最差的區域。另外，在功率MOSFET內部，局部性能弱的單元，封裝的形式和工藝，都會對破位的位置產生影響。

預防線性區失效的方法就是要求MOSFET在做開關電路應用時，驅動電路的信號輸出要求幅值及速度合適，避免工作在線性區。

5.MOSFET工裝失效預防：

MOSFET在管腳成型及散熱片工裝過程中，如果操作不當，應力過大，往往會造成芯片及塑封料的裂紋。

在MOSFET的引腳成型及切斷時，應注意以下幾點：

（1）在彎折引線時，為了防止在封裝本體與引線之間施加相對應力，必須固定彎折點與本體之間的引線，不要觸摸本體，也不要拿著本體彎折引線，如下圖：

另外，當使用模具進行大量引線的成型時，必須設置固定引線的機構，要注意引線壓桿機構不能對器件本體施加壓力。如下圖：

（2）將引線彎成直角時，必須離本體3mm的位置進行，并且彎曲度不能超過90度。當彎曲度不超過90度時，必須在距離本體至少1.5mm的地方進行彎折。如下圖：

（3）不能重復彎折引腳。

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