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 在電器電路設計中如果在可控硅兩端施加了過高的電壓和過大的電流或過高的di/dt，就有可能導致失效。在可控硅關斷時，如果來自電網的電壓（比如說打雷）超過可控硅可承受的耐壓，則可控硅的外層會被熔化，表現為短路或正反向耐壓失效。在可控硅開通瞬間（特別對于感性負載）如果尖峰電壓過高，也會導致可控硅在金屬層邊緣上穿通，有時也會在角落上，表現為短路特性。

 過壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一，可控硅對過壓的承受能力幾乎是沒有時間的，即使在幾毫秒內過壓也會被擊穿的，因此實際應用電路中，在可控硅兩端一定要接入RC吸收回路，以避免各種無規則的干擾脈沖所引起的瞬間過壓，如果經常發生可控硅擊穿，請檢查一下吸收回路的各元件是否有燒毀或失效的。